|
 |
Название электронного компонента: L88016 Описание L88016: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L88016 datasheet: 35Kb Скачать L88016 datasheet: L88016.PDF |