|
 |
Название электронного компонента: L8801P Описание L8801P: 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L8801P datasheet: 40Kb Скачать L8801P datasheet: L8801P.PDF |