Название электронного компонента: L8821P Описание L8821P: 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L8821P datasheet: 40Kb Скачать L8821P datasheet: L8821P.PDF |