|
 |
Название электронного компонента: LB401 Описание LB401: 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LB401 datasheet: 38Kb Скачать LB401 datasheet: LB401.PDF |