|
 |
Название электронного компонента: LC821 Описание LC821: 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LC821 datasheet: 37Kb Скачать LC821 datasheet: LC821.PDF |