Название электронного компонента: LK802 Описание LK802: 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LK802 datasheet: 35Kb Скачать LK802 datasheet: LK802.PDF |