|
 |
Название электронного компонента: LK822 Описание LK822: 40 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LK822 datasheet: 35Kb Скачать LK822 datasheet: LK822.PDF |