|
 |
Название электронного компонента: LP722 Описание LP722: 35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LP722 datasheet: 35Kb Скачать LP722 datasheet: LP722.PDF |