|
 |
Название электронного компонента: LP801 Описание LP801: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LP801 datasheet: 35Kb Скачать LP801 datasheet: LP801.PDF |