|
 |
Название электронного компонента: LP821 Описание LP821: 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LP821 datasheet: 35Kb Скачать LP821 datasheet: LP821.PDF |