|
 |
Название электронного компонента: LQ801 Описание LQ801: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LQ801 datasheet: 35Kb Скачать LQ801 datasheet: LQ801.PDF |