Название электронного компонента: LQ821 Описание LQ821: 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LQ821 datasheet: 35Kb Скачать LQ821 datasheet: LQ821.PDF |