|
 |
Название электронного компонента: LX703 Описание LX703: 100 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LX703 datasheet: 37Kb Скачать LX703 datasheet: LX703.PDF |