Название электронного компонента: LX803 Описание LX803: 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LX803 datasheet: 53Kb Скачать LX803 datasheet: LX803.PDF |