Название электронного компонента: LZ402 Описание LZ402: 125 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LZ402 datasheet: 36Kb Скачать LZ402 datasheet: LZ402.PDF |