|
 |
Название электронного компонента: S8201 Описание S8201: 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер S8201 datasheet: 37Kb Скачать S8201 datasheet: S8201.PDF |