Название электронного компонента: SK703 Описание SK703: 120 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер SK703 datasheet: 35Kb Скачать SK703 datasheet: SK703.PDF |