Название электронного компонента: SM401 Описание SM401: 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер SM401 datasheet: 37Kb Скачать SM401 datasheet: SM401.PDF |