|
 |
Название электронного компонента: SM705 Описание SM705: 150 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер SM705 datasheet: 36Kb Скачать SM705 datasheet: SM705.PDF |