|
 |
Название электронного компонента: SM706 Описание SM706: 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер SM706 datasheet: 37Kb Скачать SM706 datasheet: SM706.PDF |