Название электронного компонента: SP201 Описание SP201: 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер SP201 datasheet: 34Kb Скачать SP201 datasheet: SP201.PDF |