|
 |
Название электронного компонента: SQ201 Описание SQ201: 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер SQ201 datasheet: 35Kb Скачать SQ201 datasheet: SQ201.PDF |