|
 |
Название электронного компонента: SQ721 Описание SQ721: 25 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер SQ721 datasheet: 36Kb Скачать SQ721 datasheet: SQ721.PDF |