Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

SR706 datasheet



datasheet for SR706 by   Название электронного компонента: SR706

Описание SR706: 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер SR706 datasheet: 35Kb

Скачать SR706 datasheet: SR706.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024