Название электронного компонента: SR706 Описание SR706: 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер SR706 datasheet: 35Kb Скачать SR706 datasheet: SR706.PDF |