|
 |
Название электронного компонента: P122 Описание P122: 1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер P122 datasheet: 43Kb Скачать P122 datasheet: P122.PDF |