|
 |
Название электронного компонента: P123 Описание P123: 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер P123 datasheet: 38Kb Скачать P123 datasheet: P123.PDF |