|
 |
Название электронного компонента: P124 Описание P124: 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер P124 datasheet: 33Kb Скачать P124 datasheet: P124.PDF |