Название электронного компонента: P282 Описание P282: 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер P282 datasheet: 39Kb Скачать P282 datasheet: P282.PDF |