|
 |
Название электронного компонента: 2N5114 Описание 2N5114: P-Channel silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5114 datasheet: 64Kb Скачать 2N5114 datasheet: 2N5114.PDF |