Название электронного компонента: 2N5460 Описание 2N5460: P-Channel silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-226AA (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5460 datasheet: 94Kb Скачать 2N5460 datasheet: 2N5460.PDF |