Название электронного компонента: 2N5912 Описание 2N5912: Dual N-Channel silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOIC (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5912 datasheet: 66Kb Скачать 2N5912 datasheet: 2N5912.PDF |