|
 |
Название электронного компонента: IFN112 Описание IFN112: N-Channel silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IFN112 datasheet: 91Kb Скачать IFN112 datasheet: IFN112.PDF |