|
 |
Название электронного компонента: IFN5114 Описание IFN5114: P-Channel silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IFN5114 datasheet: 66Kb Скачать IFN5114 datasheet: IFN5114.PDF |