|
 |
Название электронного компонента: IFN5116 Описание IFN5116: P-Channel silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IFN5116 datasheet: 66Kb Скачать IFN5116 datasheet: IFN5116.PDF |