Название электронного компонента: IFN5566 Описание IFN5566: N-Channel dual silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-71 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IFN5566 datasheet: 95Kb Скачать IFN5566 datasheet: IFN5566.PDF |