Название электронного компонента: IFN5911 Описание IFN5911: N-Channel dual silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-78 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IFN5911 datasheet: 65Kb Скачать IFN5911 datasheet: IFN5911.PDF |