|
 |
Название электронного компонента: IFN5912 Описание IFN5912: N-Channel dual silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-78 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IFN5912 datasheet: 65Kb Скачать IFN5912 datasheet: IFN5912.PDF |