Название электронного компонента: IFN363 Описание IFN363: N-Channel silicon junction field-effect transistor Производитель: IFET Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-18 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IFN363 datasheet: 86Kb Скачать IFN363 datasheet: IFN363.PDF |