|
 |
Название электронного компонента: IRC640 Описание IRC640: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 18A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 200V. Drain-to-source on-resistance 0.18 Ohm Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 5) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRC640 datasheet: 228Kb Скачать IRC640 datasheet: IRC640.PDF |