|
 |
Название электронного компонента: IRC644 Описание IRC644: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 14A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 250V. Drain-to-source on-resistance 0.28 Ohm Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 5) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRC644 datasheet: 225Kb Скачать IRC644 datasheet: IRC644.PDF |