|
 |
Название электронного компонента: IRC730 Описание IRC730: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 5.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 400V. Drain-to-source on-resistance 1.0 Ohm Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 5) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRC730 datasheet: 223Kb Скачать IRC730 datasheet: IRC730.PDF |