|
 |
Название электронного компонента: IRC830 Описание IRC830: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 5) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRC830 datasheet: 222Kb Скачать IRC830 datasheet: IRC830.PDF |