Название электронного компонента: IRC840 Описание IRC840: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 8.0A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 0.85 Ohm Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 5) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRC840 datasheet: 220Kb Скачать IRC840 datasheet: IRC840.PDF |