|
 |
Название электронного компонента: IRF1010E Описание IRF1010E: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A. Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF1010E datasheet: 195Kb Скачать IRF1010E datasheet: IRF1010E.PDF |