|
 |
Название электронного компонента: IRF1010ES Описание IRF1010ES: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A. Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: DDPak (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF1010ES datasheet: 123Kb Скачать IRF1010ES datasheet: IRF1010ES.PDF |