|
 |
Название электронного компонента: IRF1010N Описание IRF1010N: HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF1010N datasheet: 211Kb Скачать IRF1010N datasheet: IRF1010N.PDF |