Название электронного компонента: IRF1010NS Описание IRF1010NS: HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: DDPak (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF1010NS datasheet: 146Kb Скачать IRF1010NS datasheet: IRF1010NS.PDF |