|
 |
Название электронного компонента: IRF1310N Описание IRF1310N: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.036 Ohm, ID = 42A. Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF1310N datasheet: 96Kb Скачать IRF1310N datasheet: IRF1310N.PDF |