|
 |
Название электронного компонента: IRF520N Описание IRF520N: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF520N datasheet: 116Kb Скачать IRF520N datasheet: IRF520N.PDF |