|
 |
Название электронного компонента: IRF5210S Описание IRF5210S: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.06 Ohm, ID = -40A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: DDPak (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF5210S datasheet: 186Kb Скачать IRF5210S datasheet: IRF5210S.PDF |